Память SODIMM DDR5 8GB 4800MHz Samsung M425R1GB4BB0-CQK 1.1V, M425R1GB4BB0-CQK
Код товара:
О товаре
Samsung M425R1GB4BB0-CQK — DDR5 SO-DIMM на 8 ГБ: 4800 MT/s, тайминги 40-39-39, 1,1 В и системная ECC отсутствует.
Все характеристики
Характеристики товара Нажмите, чтобы посмотреть подробные параметры
Samsung M425R1GB4BB0-CQK
Samsung M425R1GB4BB0-CQK представлен как один модуль DDR5 объёмом 8 ГБ в формате SO-DIMM. Строка точного семейства производителя указывает организацию x64, а суффикс QK — 4800 MT/s с таймингами 40-39-39; это модуль без системной ECC.
Модуль имеет 262 контакта, одноранговую организацию на компонентах x16 и работает при напряжении 1,1 В. Внутренняя On-die ECC DDR5 не является системной ECC. Перед покупкой проверьте тип слота, допустимый объём на разъём и поддерживаемую ноутбуком скорость.
Характеристики
| Бренд | Samsung |
|---|---|
| Модель | M425R1GB4BB0-CQK |
| Тип памяти | DDR5 |
| Форм-фактор | SO-DIMM |
| Общий объём | 8 ГБ |
| Комплект | 1 модуль × 8 ГБ |
| Заявленная скорость передачи | 4800 MT/s |
| Контакты | 262 |
| Организация | 1 rank, x16 |
| Напряжение | 1,1 В |
| Системная ECC | Нет (Non-ECC) |
| Тайминги | 40-39-39 |